Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
RoHS:
Способ монтажа:
Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс:
TO-220-3
Полярность транзистора:
NPN
Конфигурация:
Одиночный
Напряжение Коллектор-эмиттер VCEO Макс:
80 В
Напряжение коллектор-база VCBO:
-
Напряжение эмиттер-база VEBO:
5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1 В
Максимальный ток коллектора постоянного тока:
10 А
Pd - рассеиваемая мощность:
70 W
Коэффициент усиления полосы пропускания продукта fT:
50 МГц
Минимальная рабочая температура:
- 55 ° C
Максимальная рабочая температура:
+ 150 ° C
Серии:
Упаковка:
Тюбик
Бренд:
onsemi
Постоянный ток коллектора:
10 А
Коэффициент усиления коллектора постоянного тока/базы hfe Min:
60
Высота:
15,75 мм
Длина:
10,53 мм
Тип продукта:
BJTs - биполярные транзисторы
Количество в заводской упаковке:
50
Подкатегория:
Транзисторы
ТЕХНОЛОГИЯ:
Si
Ширина:
4,83 мм
Вес единицы измерения:
0,211644 унции
